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SH8J31GZETB

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SH8J31GZETB
Descripción: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 70mOhm @ 4.5A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 40nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2500pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.5A

En stock 470 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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