La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SCT3120ALGC11

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SCT3120ALGC11
Descripción: MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) +22V, -4V
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 5.6V @ 3.33mA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
Disipación de energía (máx.) 103W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247N
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 38nC @ 18V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 460pF @ 500V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 18V

En stock 5657 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.26 $7.11 $6.97
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

STF45N65M5
STMicroelectronics
$7.25
IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
$7.2
2SK1835-E
Renesas Electronics America
$7.14
STW15NK90Z
STMicroelectronics
$7.12
STW50N65DM2AG
STMicroelectronics
$7.12