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SCT2H12NYTB
| Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SCT2H12NYTB |
| Descripción: | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ROHM Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | +22V, -6V |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 410µA |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
| Disipación de energía (máx.) | 44W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-268 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 14nC @ 18V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1700V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 184pF @ 800V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
En stock 2167 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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