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SCT2120AFC

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SCT2120AFC
Descripción: MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) +22V, -6V
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 3.3mA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 156mOhm @ 10A, 18V
Disipación de energía (máx.) 165W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 61nC @ 18V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1200pF @ 500V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 18V

En stock 688 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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