SCT2120AFC
Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SCT2120AFC |
Descripción: | MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ROHM Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | +22V, -6V |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 3.3mA |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 156mOhm @ 10A, 18V |
Disipación de energía (máx.) | 165W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220AB |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 61nC @ 18V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1200pF @ 500V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 29A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
En stock 688 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$12.98 | $12.72 | $12.47 |
Mínimo: 1