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RW1A025APT2CR

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	RW1A025APT2CR
Descripción:	MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	-8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) - Id	1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	400mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	6-WEMT
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	16nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2000pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V