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RUC002N05HZGT116

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RUC002N05HZGT116
Descripción: 1.2V DRIVE NCH MOSFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Disipación de energía (máx.) 350mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SST3
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 50V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 25pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

En stock 5980 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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