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RSD200N10TL

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RSD200N10TL
Descripción: MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 52mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 20W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores CPT3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 48.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2200pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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