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RS1G180MNTB

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RS1G180MNTB
Descripción: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7mOhm @ 18A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3W (Ta), 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-HSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 19.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1293pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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