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RQ7E110AJTCR

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RQ7E110AJTCR
Descripción: NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 10mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9mOhm @ 4.5A, 11V
Disipación de energía (máx.) 1.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TSMT8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2410pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V

En stock 2937 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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