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RQ3L090GNTB

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RQ3L090GNTB
Descripción: NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.7V @ 300µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 13.9mOhm @ 9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-HSMT (3.2x3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 24.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1260pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 3000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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