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RQ3E180BNTB

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RQ3E180BNTB
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.9mOhm @ 18A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta), 20W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-HSMT (3.2x3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 37nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3500pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 39A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 2881 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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