Image is for reference only , details as Specifications

RQ3E180AJTB

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RQ3E180AJTB
Descripción: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 11mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta), 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-HSMT (3.2x3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 39nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4290pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 763 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

ZXMP10A17KTC
Diodes Incorporated
$0
NVMFS5885NLT1G
ON Semiconductor
$0
BUK7608-55A,118
Nexperia USA Inc.
$0
RRH050P03GZETB
ROHM Semiconductor
$0
HUF75329D3ST
ON Semiconductor
$0