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RQ3E110AJTB

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RQ3E110AJTB
Descripción: RQ3E110AJ IS LOW ON-RESISTANCE A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-HSMT (3.2x3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13.5nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1500pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Ta), 24A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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