Image is for reference only , details as Specifications

RHU002N06FRAT106

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RHU002N06FRAT106
Descripción: 4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-70, SOT-323
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 200mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores UMT3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 4.4nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 15pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

En stock 3000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SSM3J340R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SSM3J371R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
DMP32D4S-7
Diodes Incorporated
$0
SSM3J374R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0