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RGW60TK65DGVC11

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: RGW60TK65DGVC11
Descripción: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 84nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 72W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3PFM, SC-93-3
Condición de la prueba 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Cambio de energía 480µJ (on), 490µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 37ns/114ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3PFM
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 92ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 33A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 120A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 450 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.26 $5.15 $5.05
Mínimo: 1

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