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RGTH00TS65DGC11

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: RGTH00TS65DGC11
Descripción: IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 94nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 277W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Condición de la prueba 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Cambio de energía -
Td (encendido/apagado) a 25oC 39ns/143ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247N
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 54ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 85A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 200A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 9 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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