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RGT8NS65DGTL

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: RGT8NS65DGTL
Descripción: IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Digi-Reel®
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 13.5nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 65W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Condición de la prueba 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Cambio de energía -
Td (encendido/apagado) a 25oC 17ns/69ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores LPDS (TO-263S)
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 40ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 8A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 12A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 922 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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