RGT8NS65DGC9
Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - IGBTs - Single |
Ficha técnica: | RGT8NS65DGC9 |
Descripción: | IGBT |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ROHM Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Empaquetado | Tube |
Tipo de entrada | Standard |
Carga de la puerta | 13.5nC |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 65W |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Condición de la prueba | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
Cambio de energía | - |
Td (encendido/apagado) a 25oC | 17ns/69ns |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-262 |
Vce(on) (Max) á Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 40ns |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 8A |
Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 12A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 650V |
En stock 1000 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.73 | $1.70 | $1.66 |
Mínimo: 1