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RGT16NS65DGC9

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: RGT16NS65DGC9
Descripción: IGBT
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 21nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 94W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Condición de la prueba 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Cambio de energía -
Td (encendido/apagado) a 25oC 13ns/33ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-262
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 42ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 16A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 24A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 1000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.19 $2.15 $2.10
Mínimo: 1

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