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RFN1L6STE25

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: RFN1L6STE25
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DO-214AC, SMA
Número de pieza base RFN1L6S
Capacitancia : Vr, F -
Paquete de dispositivos de proveedores PMDS
Tiempo de recuperación inversa (trr) 35ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 1µA @ 600V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 600V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 800mA
Temperatura de funcionamiento - Unión 150°C (Max)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1.45V @ 800mA

En stock 67 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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