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RDX100N60FU6

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RDX100N60FU6
Descripción: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 650mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 45W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220FM
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 45nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1600pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 66 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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