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RDN080N25FU6

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RDN080N25FU6
Descripción: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 500mOhm @ 4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 35W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220FN
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 30nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 250V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 543pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 50 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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