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RD3S100CNTL1

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RD3S100CNTL1
Descripción: NCH 190V 10A POWER MOSFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 182mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 85W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 52nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 190V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2000pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

En stock 2428 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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