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RD3G600GNTL

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RD3G600GNTL
Descripción: RD3G600GN IS A POWER MOSFET WITH
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.6mOhm @ 60A, 10V
Disipación de energía (máx.) 40W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 46.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3400pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 60A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 51 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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