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RCD100N19TL

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RCD100N19TL
Descripción: MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 182mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores CPT3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 52nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 190V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2000pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

En stock 1420 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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