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RCD075N19TL

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	RCD075N19TL
Descripción:	MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	336mOhm @ 3.8A, 10V
Disipación de energía (máx.)	850mW (Ta), 20W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	CPT3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	30nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	190V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1100pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	7.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V