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R6035KNZ1C9

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: R6035KNZ1C9
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 102mOhm @ 18.1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 379W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 72nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3000pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 294 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.98 $4.88 $4.78
Mínimo: 1

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