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R6020ENZ1C9

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: R6020ENZ1C9
Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 196mOhm @ 9.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 120W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 60nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1400pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 10 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.66 $3.59 $3.52
Mínimo: 1

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