Image is for reference only , details as Specifications

R6011KND3TL1

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: R6011KND3TL1
Descripción: NCH 600V 11A POWER MOSFET. POWE
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 390mOhm @ 3.8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 124W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 740pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.59 $2.54 $2.49
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

STP95N4F3
STMicroelectronics
$1.15
TK3A60DA(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.15
R6007JNJGTL
ROHM Semiconductor
$0
SQD10950E_GE3
Vishay / Siliconix
$1.14
STD100N10LF7AG
STMicroelectronics
$1.13