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QS8M31TR

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: QS8M31TR
Descripción: QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.1W (Ta)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores TSMT8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 4nC, 7.2nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 270pF, 750pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3A (Ta), 2A (Ta)

En stock 3000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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