La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IMH23T110

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: IMH23T110
Descripción: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-74, SOT-457
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base *MH23
Resistencia - Base (R1) 4.7kOhms
Frecuencia - Transición 150MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SMT6
Resistencia - Base emisora (R2) -
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 600mA
Corriente - Corte del colector (máx.) -
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 820 @ 50mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 20V

En stock 2817 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

UMC4N-7
Diodes Incorporated
$0
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IMH5AT108
ROHM Semiconductor
$0
DDA144EU-7
Diodes Incorporated
$0
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0