Image is for reference only , details as Specifications

IMB3AT110

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: IMB3AT110
Descripción: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-74, SOT-457
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base MB3
Resistencia - Base (R1) 4.7kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SMT6
Resistencia - Base emisora (R2) -
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) -
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 55 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.11 $0.11 $0.11
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
$0.11
IMH4AT110
ROHM Semiconductor
$0
NSVBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor
$0.11
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
$0.11
UMF8NTR
ROHM Semiconductor
$0.11