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HP8S36TB

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: HP8S36TB
Descripción: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 29W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-HSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 47nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6100pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 27A, 80A

En stock 2456 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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