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HP8M31TB1

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	HP8M31TB1
Descripción:	HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	-
Tipo FET	N and P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Característica FET	Standard
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	3W (Ta)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores	8-HSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	12.3nC, 38nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	470pF, 2300pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	8.5A (Ta)