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ES6U1T2R

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: ES6U1T2R
Descripción: MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 700mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-WEMT
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 2.4nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 290pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

En stock 12000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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