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EMG3T2R

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: EMG3T2R
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-75, SOT-416
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base *MG3
Resistencia - Base (R1) 4.7kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores EMT3
Resistencia - Base emisora (R2) -
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 92 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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