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EMF8T2R

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: EMF8T2R
Descripción: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Not For New Designs
Potencia - Máx. 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Resistencia - Base (R1) 47kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz, 320MHz
Paquete de dispositivos de proveedores EMT6
Resistencia - Base emisora (R2) 47kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA, 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V, 12V

En stock 86 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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