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EMB4T2R

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: EMB4T2R
Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base MB4
Resistencia - Base (R1) 10kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores EMT6
Resistencia - Base emisora (R2) -
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) -
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 56 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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