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DTD123TSTP

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: DTD123TSTP
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso SC-72 Formed Leads
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número de pieza base DTD123
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Frecuencia - Transición 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SPT
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 40V

En stock 93 pcs

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