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DTB123YUT106

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: DTB123YUT106
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-70, SOT-323
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Número de pieza base DTB123
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Frecuencia - Transición 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores UMT3
Resistencia - Base emisora (R2) 10 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 3715 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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