DTB123YUT106
Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Ficha técnica: | DTB123YUT106 |
Descripción: | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ROHM Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Serie | - |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SC-70, SOT-323 |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Número de pieza base | DTB123 |
Resistencia - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Paquete de dispositivos de proveedores | UMT3 |
Resistencia - Base emisora (R2) | 10 kOhms |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 500mA |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 3715 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1