La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
BSM250D17P2E004
| Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | BSM250D17P2E004 |
| Descripción: | HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ROHM Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 1800W (Tc) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caso | Module |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 66mA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Module |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | - |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 30000pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 250A (Tc) |
En stock 12 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $918.40 | $900.03 | $882.03 |
Mínimo: 1
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