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HYB25D128800CE-6

Fabricantes: Qimonda
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: HYB25D128800CE-6
Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Qimonda
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Cut Tape (CT)
Tecnología SDRAM - DDR
Tamaño de la memoria 128Mb (16M x 8)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Formato de memoria DRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Frecuencia del reloj 166MHz
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 66-TSOP II
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -

En stock 94 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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