SSVMUN5312DW1T2G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Ficha técnica: | SSVMUN5312DW1T2G |
Descripción: | TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Serie | - |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 187mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Número de pieza base | MUN53**DW1 |
Resistencia - Base (R1) | 22kOhms |
Frecuencia - Transición | - |
Paquete de dispositivos de proveedores | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Resistencia - Base emisora (R2) | 22kOhms |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 60 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.11 | $0.11 | $0.11 |
Mínimo: 1