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S1JVNJD2873T4G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: S1JVNJD2873T4G
Descripción: TRANSISTOR PNP BIPO
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.68W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 175°C (TJ)
Frecuencia - Transición 65MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 2A
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 54 pcs

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