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NVMYS4D1N06CLTWG

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	NVMYS4D1N06CLTWG
Descripción:	T6 60V LL LFPAK
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs(th) (Max) - Id	2V @ 80µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	4mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.)	3.7W (Ta), 79W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	LFPAK4 (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	34nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2200pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	22A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V