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NVMJS1D2N04CLTWG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NVMJS1D2N04CLTWG
Descripción: T6 40V LL LFPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerSMD, Gull Wing
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 170µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.2mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-LFPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 93nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 5600pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 41A (Ta), 237A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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