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NVMFSW6D1N08HT1G

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	NVMFSW6D1N08HT1G
Descripción:	T8 80V 1 PART PROLIFERATI
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	-
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 120µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.)	3.8W (Ta), 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	32nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2085pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	17A (Ta), 89A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V