La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

NVMFS4C302NWFT1G

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	NVMFS4C302NWFT1G
Descripción:	NFET SO8FL 30V 1.15MO
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) - Id	2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.15mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.)	3.75W (Ta), 115W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	82nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	5780pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	43A (Ta), 241A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V