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NVMFD6H852NLWFT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NVMFD6H852NLWFT1G
Descripción: FET NCH 80V
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 26µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 521pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7A (Ta), 25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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