La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
NVMFD5C650NLT1G
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | NVMFD5C650NLT1G |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Característica FET | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 98µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 4.2mOhm @ 20A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2546pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 21A (Ta), 111A (Tc) |
En stock 53 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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